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  • 料如要發出波長較短的藍光或紫外光,LED外延材料的凡值還要更大一些,應大于3ev。一般元50W投光燈素半導體是不能滿足這個要求的,這也是普通山鍺或硅半導體制成的PN結在正向偏置下不能發光的原因。一般的化合物半導休都具有比元素半導體更寬的禁帶寬度;同時,在確定了LED的發光波長后,還可以通過調節多元半導體材料的組分配比來控制它的禁帶寬度凡值,例如對于鋁錮驚磷(AllnGaP)材料,可以通過選擇合適的A[Ga組分配比來控制它的禁帶寬度,進而改變它的發光顏色,LED泛光燈50W使它的顏色由黃色變為深紅,得到紅、黃、綠等不同顏色。鑒于上而提到這些原因,我們在制作LED時,必須LED泛光燈50W選擇化合物半導體做外延材料。第1章發光二極管(LED)的發光原理及特性3②能夠制作高電導率的P型、N型半導體晶體.以獲得良好的PN結。晶體必須有足夠高的電導率才可以提供高發光效率所需要的電子一空穴對,為此,摻雜濃度應不低于1、101勺cm3。為了減小正向串聯電阻,應盡量選用載流子遷移率高的材料,采用良好的外延工藝與合適的摻雜材料,以及選擇正確的摻雜濃度和溫度。③能夠生成沒有晶格缺陷和雜質的晶體。晶格缺陷和雜質會形成非發光復合中心,從而降低LED發光的內量子效率和總發光效率??刂仆庋泳莸馁|量的因素有很多,如襯底材料、晶體的外延生長工藝和方法等。④發光復合率要大。由于發光復合率直接影響發光效率,所以目前高亮度LED和超高亮度LED大都采用具有較大的發光復合率的直接躍遷型〔或稱直接帶隙型)半導體材料來制造,從而得到較高的發光效率。根據以上這些要求,LED外延所用的材料大都是111一V族化合物半導體50W投光燈,例如砷化嫁(G孔As)、磷化稼〔GaP)、稼鋁砷(AIG幾As)、鋁錮嫁磷LED泛光燈50W(AllnG護)、鋁錮嫁氮(AllnG酬),其他的還有W族化合物碳化硅(siC)及V一城族化合物硒化砷(Asse)等。關于在
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    編號:XGT001-50W
    功率:LED
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    類別:LED投光燈
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