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  • 的N認u層.作為P型歐姆接觸,因為它有足夠的厚度,能將光反射回去,對提高出光率有利;②采用掩膜有選擇地刻蝕掉P型層和多量子阱有效發光層,露出N型區;③經沉積刻蝕形成N型歐姆接觸層;④將有金屬化凸點的AllnG咖芯片倒裝焊接在具有防靜電保護二極管(ESD〕的硅載體〔基體)上;⑤將硅載體與管殼底盤進行電連接SWK213-H80W工廠燈,然后封裝在管殼之中,管殼應有良好的光學特性,允許LBD在大電流和高溫條件下工作。大功率LED的封裝結構剖面圖如圖1一12所示,LBD芯片是通過凸點倒裝連接到硅基體或陶瓷基體上的,它們比藍寶石有更好的散熱性,通過它們再把熱量傳到起散熱作用的金屬管座,能大大減少芯片與散熱器之間的熱阻,其熱阻值僅為普通小功率LED的1/2O一1/5,對提高LED的可靠性很有好處。LED芯片殼體陰極導線銅嵌塊熱量圖1。12大功率L五D的封裝結構剖面圖1.4.2LEO的外延材料LED的制造通常包含材料制備、芯片制造和封裝3個基本過程。在材料制備過程中,需要在襯底(基片)材料上用外延法生長一定厚度的半導體PN結層。外延材料是LED的核心部分,是制造LED的基石,對LED的性能起著關鍵的作用。外延材料種類很多,下面介紹其中幾種。林LEO驅動芯片工1乍原理與電路設計1.AIGalnP四元系化合物半導體材料AllnGaP能發射紅光(625nm)、橙光(61Inm)和SWK213-H80W工廠燈黃光(590nm),是目前制造這一波長范圍的高亮度LED的主要材料。四元化合物的組分比例可以表示為(ALGal一蘇Inl尹,其中渾、y是化合物材料組分的摩爾比,當y約為0.5時,外延材料晶格與GaAs襯底材料能很好匹配.在G認s上生長AIGalnP外延材料,是一種質量很好的異質外延;當組分比x在0?1之間變化時,其禁帶寬度(帶隙)在1.899一2.562eV之間變化,當x<0.65時,躍遷以直接帶隙為主,內量子效率較高
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    編號:SWK213-H80W
    功率:LED80w
    光源:
    類別:LED工礦燈
    適用場所:各種廠房車間吊頂照明

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