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  • 注:①表中每個元素前面的數字為LED20w投光燈該元素的原子序數,后面的英文字母為其元素符號;②括號內數字為材料的禁帶寬度凡值(有的資料稱為帶隙),單位為電子伏特(ev)。不同的半導體材料具有不同的禁帶寬度。2LED驅動芯片工作原理與電路設計元素半導體僅由一種元素組成。目前最常用的、最典型的元素半導體有鍺、硅和硒,它們的制作丁藝成熟20w投光燈、應用廣泛、產量高。鍺:在半導20w投光燈體工業中有著少’泛的應用。早期的半導體器件大多是用鍺制成的,這和對它的研究較早、制作較易、工藝成熟有關。鍺的缺點是禁帶寬度凡較小,為0.75ev,不適宜制作大功率器件;其次,鍺的表面不像硅那樣容易形成一層既可保護體內,又可利用光刻實現雜質選擇擴散的二氧化硅層;最后,鍺是一種稀有元素,原材料稀缺,所以今天正20w投光燈逐步被硅所取代。硅:與鍺相比,硅的熔點為1420℃,比鍺高,其禁帶寬度凡比鍺大,為1.leV,載流子遷移率比鍺低。作為半導體材料,硅有許多優點:禁帶寬度大,適宜做耐高溫、耐輻射的器件,硅器件的溫度穩定性比鍺器件的要高;其次,硅的表面容易生成一層二氧化硅膜,可以有效保護器件的內部結構,同時又可阻擋雜質的侵入,從而為應用外延工藝做硅平面晶體管和集成電路創造了有利條件。硒:它是一種光電半導休材料,既可以制造整流器和太20w投光燈價格陽能電池,又可用在干印裝置和攝像機‘},。由于硒是一種稀有物質,加之固有的缺點,所以目前應用不是很廣。2.化合物半導體化合物半導體由兩種或兩種以上的物質化合而成,它的特點是材
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